Secondary ion mass spectrometer (SIMS)

Lieferung einer Gasphasenabscheidungsanlage (ICP-PECVD)

Die Universität Heidelberg beschafft ein System für plasma-verstärkte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) mit einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle (ICP). Die Anlage dient der Herstellung hochwertiger dielektrischer Dünnfilme mit präzise steuerbaren optischen Eigenschaften und Schichtdicken im Nanometer- bis Mikrometerbereich. Das System soll für Forschungsarbeiten zur Abscheidung von Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, amorphem Silizium und diamantähnlichen Kohlenstoffschichten eingesetzt werden. Der Lieferumfang umfasst neben dem Neugerät auch die betriebsfertige Aufstellung, Inbetriebnahme, Funktionstests sowie eine dreitägige Schulung für zwei Mitarbeiter.

DRIE Ätzanlage für MEMS

Die Ruhr-Universität Bochum beabsichtigt die Beschaffung einer DRIE-Ätzanlage für das tiefe Silicium-Ätzen von Wafer-Substraten bis zu einem Durchmesser von 200 mm. Das System soll primär für die Herstellung hochpräziser MEMS-Strukturen auf SOI-Wafern mittels des zyklischen Bosch-Prozesses eingesetzt werden. Zudem dient die Anlage der Erforschung neuer, umweltfreundlicherer Ätzkonzepte und der Entwicklung alternativer Ätzmedien. Die Anlage muss über eine leistungsfähige ICP-Quelle, einen Bias-Generator sowie eine optische Emissionsspektroskopie zur präzisen Prozesssteuerung verfügen.

Rasterelektronenmikroskop für Charakterisierung katalytischer Komponenten

Das Fraunhofer-Institut UMSICHT beschafft ein Rasterelektronenmikroskop zur Charakterisierung katalytischer Komponenten sowie zur Strukturuntersuchung von Kohlenstoff- und Metallpulvern. Der Lieferumfang umfasst das Mikroskop inklusive Detektoren, EDX-Messsystem, Software, Ersatzteile sowie die Lieferung, Aufstellung, Inbetriebnahme und Personalschulung. Optional können ein STEM-Detektor sowie Funktionen für 3D-Bildaufnahmen und Bildzusammensetzungen beauftragt werden. Die Anlage muss sowohl im Hochvakuum als auch im Niedervakuum betrieben werden können.

Profilometer

Beschafft wird ein Profilometer für 300mm-Wafer zur Messung von Schichtdicken, Rauheit und Wölbung. Das Gerät muss in der Lage sein, Substratoberflächen von 100mm bis 300mm Wafern sowie quadratische Panels bis 300mm Kantenlänge zu scannen. Die Messung erfolgt mittels einer Nadel mit einstellbaren Kräften und Geschwindigkeiten. Der Lieferumfang umfasst die Installation, Inbetriebnahme und Einweisung am Standort des Fraunhofer IZM in Berlin.

Kompakte Atomic-Layer-Deposition-(ALD)-Anlage für funktionelle Dünnschichten

Beschafft wird eine kompakte Atomic-Layer-Deposition-Anlage für den Einsatz auf einem Standard-Labortisch. Das System dient der hochpräzisen und reproduzierbaren Abscheidung funktionaler Dünnschichten für Forschungszwecke in der Mikro- und Nanotechnologie. Die Anlage muss für verschiedene Substratarten und komplexe Geometrien geeignet sein. Der Lieferumfang umfasst neben der Hardware auch die Inbetriebnahme, Schulung und technische Unterstützung.

Photolumineszenz-Mapper-NIR

Beschaffung eines Photolumineszenz-Mapper-NIR für die Charakterisierung von direkten Halbleitern. Das Gerät soll in der Lage sein, in einem Spektralbereich von 800-2150nm zu messen und ganze 2 - 6 Zoll (50mm - 150mm) Wafer zu mappen. Es gibt verschiedene Optionen wie Excitation density tuning, Laser 2 (DPSS) und spezielle Probenhalter.

Hochvakuum-PVD-Anlage für funktionelle Dünnschichten (Magnetron-Sputtern)

Beschafft wird eine kompakte Hochvakuum-PVD-Anlage für das Magnetron-Sputtern zur Herstellung funktioneller Dünnschichten. Das System muss als vollständig integrierte Tischanlage konzipiert sein und sowohl DC- als auch RF-Sputterprozesse unterstützen. Die Anlage dient der Prozessentwicklung sowie der reproduzierbaren Abscheidung von metallischen, oxidischen und nitridischen Schichten. Zum Lieferumfang gehören neben der Hardware auch die Installation, Inbetriebnahme, Personalschulung und technische Dokumentation.

Erneuerung und Erweiterung einer MOVPE-Anlage für III-Nitrid und 2D-Halbleiter

Die Ausschreibung betrifft die Erneuerung und Erweiterung einer bestehenden MOVPE-Anlage (Metallorganische Gasphasenepitaxie) des Herstellers Aixtron für III-Nitrid und 2D-Halbleiter. Der Leistungsumfang umfasst den Austausch spezifischer Komponenten wie der Prozesspumpe, des Showerhead-Gaseinlasses und von Rückschlagventilen. Zudem ist die Anlage um Leitungen für die Quellmaterialien Triethylboran und Ethen zu erweitern, inklusive der notwendigen Anpassungen am Gasversorgungssystem. Die Arbeiten beinhalten die Lieferung, Montage, Integration, Inbetriebnahme sowie eine umfassende Funktionsprüfung der Anlage.

Lieferung und Installation eines Triple-Quadrupol-ICP-MS/MS-Systems für Batterieforschung

Gegenstand der Beschaffung ist die Lieferung, Installation und Inbetriebnahme eines Triple-Quadrupol-ICP-MS/MS-Systems (Tandem-Massenspektrometer mit induktiv gekoppeltem Plasma). Das System umfasst unter anderem eine Reaktionszelle, ein HF-beständiges und Standard-Probeneinführungssystem, einen Autosampler, einen Umlaufkühler, eine Online-Gasverdünnung, Steuer- und Auswertesoftware sowie einen PC. Zudem ist eine Geräteeinweisung vor Ort erforderlich. Das System wird für die Spuren- und Ultraspurenelementanalytik von Batteriemetallen und Leitsalzabbauprodukten im Rahmen der Batterieforschung und des Batterierecyclings eingesetzt.

Flip Chip Die Bonder für Halbleiter-Montage

Beschafft wird ein Flip-Chip-Die-Bonder für das GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung. Das System dient der präzisen Platzierung von CMOS-Sensorchips auf Substraten im Mikrometerbereich. Der Lieferumfang umfasst das Mikro-Montagesystem sowie diverse Prozessmodule für unterschiedliche Bonding-Technologien. Zudem sind Wartungsleistungen und eine umfassende Dokumentation gefordert.